4H-SiC MESFET大信号非线性特性分析
采用Volterra级数法对4H2SiC射频MESFET的大信号非线性特性进行了分析,并研究了器件尺寸与线性度的关系。模型考虑了陷阱效应对非线性特性的影响,模拟结果能够较好地反映实验结果。进一步分析表明,在1GHz和1. 01GHz频率下,当栅长从0. 8μm增大到1. 6μm,器件的输入(输出)三阶截取点从33. 55dBm (36. 26dBm)减小到18. 1dBm (13. 4dBm) , 1dB压缩点从24dBm下降到7. 43dBm。为实际器件的线性化设计提供理论依据。
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